sél surya PERT | Kabéh nu peryogi kauninga
sél surya PERT | Kabéh nu peryogi kauninga
Sél surya PERT dipeunteun pisan diantara téknologi tanaga surya efisiensi super anu tiasa dilebetkeun dina desain sél surya raray sareng bifacial.
Sanaos sél surya PERT rada langkung mahal pikeun diproduksi tibatan pasangan silikon konvensionalna sareng utamina dianggo dina industri khusus sapertos mobil surya atanapi aplikasi ruang angkasa, sadaya produsén sél surya narékahan pikeun ngawangun sareng pasar aranjeunna kalayan tujuan pikeun masihan high-end. sareng solusi kualitatif pikeun konsuménna. Sél surya bifacial anu gaining popularitas gede pisan. Upami diposisikan saé di daérah anu kabuka atanapi permukaan datar, aranjeunna tiasa nyerep cahaya sareng mampuh ngahasilkeun énérgi listrik tina duanana permukaan-tungtung nepi ka ngahasilkeun hasil 30% ningkat tibatan sél konvensional anjeun.
Sél surya PERT: Kumaha aranjeunna tiasa dianggo?
PERT nangtung pikeun Pasivated emitter Rear sagemblengna diffused sél. Aranjeunna ngagaduhan permukaan tukang anu kasebar, anu mangrupikeun pergeseran drastis ti mitra konvensional anu nganggo BSF-alloy aluminium. Kantun nempatkeun, emitter wafer dumasar-p dijieun ku difusi fosfor, sarta BSF dilakonan ngaliwatan doping boron dina p-PERT.
Sél PERT kebal kana obliterasi anu disababkeun ku cahaya sareng tiasa adaptasi kana bentuk sél bifacial. Ieu nembé narik minat séktor PV surya sareng universitas riset. Élmuwan PV nyobian arsitéktur sél alternatip pikeun ningkatkeun éféktivitas sél surya Si anu tiasa dianggo pikeun industri- khususna ayeuna yén struktur PERC anu relevan sigana parantos ngahontal ambang efisiensi transformasi kakuatan anu tiasa dilaksanakeun.
Dina parameter normal tina AM1.5 spéktrum dina 25 °Celcius hawa,-efisiensi tinggi passivated emitter; Pasivated emitter Rear sagemblengna diffused sél ngahontal efisiensi konversi énergi ngeunaan 25 persen. Ieu mangrupikeun angka efisiensi konversi énergi anu paling ngajangjikeun anu kantos kacatet pikeun sél silikon dumasar kana substrat silikon non-FZ. Difusi boron hampang dina struktur sél sél PERT henteu ngan ukur ngirangan résistansi séri sél tapi ogé ningkatkeun tegangan sirkuit kabuka na.
PERC, anu nangtung pikeun struktur kontak pungkur emitor pasif, gaduh lapangan permukaan deui anu dilokalkeun, anu mangrupikeun pembeda primér antara PERC tipe-p sareng PERT tipe-n (BSF). The BSF ieu sired salila operasi co-firing logam ku doping Al kana Si. Ku ngadegkeun konjungsi tinggi-rendah sareng wafer dasar Si tipe-p, BSF ngabantosan dina ningkatkeun efisiensi sél surya. runners minoritas anu repelled ku link ieu, nu nyegah aranjeunna ti reconnecting on beungeut deui wafer Si.
Beungeut tukang struktur PERT, sabalikna, "diffused lengkep" kalawan boron (p-tipe) atawa fosfor (n-tipe). Téknologi sél surya PERT paling sering dianggo dina sél Si tipe-n. Ieu kanggo kauntungan tina kasabaran anu langkung luhur pikeun kontaminasi logam, koefisien suhu rendah, sareng ngirangan pangurangan anu disababkeun ku cahaya tina wafer Si tipe-n dina wafer Si tipe-p. Kusabab sabagian ageung wafer tipe-n dieusian ku fosfor, ngarecahna anu diakibatkeun ku cahaya diminimalkeun dina tipe-n Si, sigana kusabab pasangan boron-oksigén anu handap.
Sanaos ieu, BSF "total diffused" meryogikeun padamelan metode inovatif sapertos POCL suhu luhur sareng difusi BBr3. Hasilna, manufaktur sél surya PERT langkung mahal tibatan PERC.
Acan, anu Pasivated emitter Rear sagemblengna diffused BSF aréa pinuh sél 'bisa méré rendition passivation simpang tinggi-rendah leuwih éféktif batan PERC urang dipasrahkeun, coarser BSF basis Al. Struktur torowongan kontak pasif oksida (TOPCON) ogé tiasa dihijikeun sareng PERT tipe-n. Cai mibanda kamampuhan pikeun mempermudah kaluaran alat malah leuwih.
Alatan substrat Si feathering kalawan umur minoritas nambahan sarta euweuh degradasi BO kompléks pakait, N-tipe sél surya silikon anu steadily rising luhur dina grafik popularitas. Kusabab kesederhanaan pamrosésan, Bifacial Passivation Emitter sareng sél surya tipe-n PERT mangrupikeun solusi anu éfisién anu tiasa gampang diindustri. Generasi pemancar P + mangrupikeun salah sahiji téknik PERT anu penting. Mangtaun-taun, difusi BBr3 parantos diadegkeun pikeun manufaktur masal, tapi industrialisasi sél surya tipe-n parantos dihambat ku homogenitas dopan sareng integrasi prosés. Kombinasi tinta boron spin coating sareng difusi POCl3 dina sél surya n-PERT diulik sareng didokumentasikeun dina kertas panalungtikan. Sél surya kalayan bifaciality leuwih ti 90 persen kapanggih boga efisiensi leuwih ti 20.2 persen, nurutkeun papanggihan.
Sél surya PERT bifacial tipe-n tiasa diproduksi nganggo aliran prosés anu kalebet implanting ion pikeun doping sisi tunggal. Éta ngakibatkeun kualitas simpang emitter anu luar biasa sareng konsistensi.
Sél surya PERT nyadiakeun sababaraha kaunggulan, lolobana nu didaptarkeun di handap:
● Teu kawas sél surya PERC, versi PERT attains efisiensi tinggi ngaliwatan passivation on multi-bahan, nyaéta Boron BSF PERT multi siling, teu mibanda degradasi cahaya-ngainduksi (LID).
● Biaya kapamilikan sami sareng sél PERC.
● Garis PERT ogé tiasa dianggo pikeun sél raray mono atanapi bifacial, masihan seueur fleksibilitas.
Sél surya PERT diproduksi nganggo sababaraha metode sareng kombinasi inovatif pikeun ngaoptimalkeun jinis sél anu béda. Langkung ti sapuluh taun, téknologi pinter énggal sapertos sistem Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD) parantos dikhususkeun pikeun manufaktur pikeun ngahasilkeun barang-barang kalayan katampi anu luhur. Salaku tambahan, ngagunakeun Tungku Tube Horizontal, emitor fosfor sareng boron BSF ngahasilkeun dina siklus panas tunggal, nyababkeun durasi siklus anu langkung pondok. Sabab Pasivated emitter Rear sagemblengna diffused sél ogé bisa dipaké dina modul back-sheet tradisional, reconfiguring jalur manufaktur pikeun pindah ti raray mono ka pabrik bifacial nyaéta pakasaban sababaraha jam wungkul.
saméméhna:Naon ari sél surya HJT?